60r280場效應(yīng)管,600vmos管,?15a600v,KLD60R280B參數(shù)-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-08-20
KLD60R280B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流15A,采用新型溝槽工藝制造,性能優(yōu)越;低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 240mΩ,減少導(dǎo)電損失,低柵極電荷(典型值Qg=19.6nC),減少開關(guān)損耗;具有高耐用性、快速開關(guān)、100%經(jīng)雪崩測試、改進的dv/dt性能,高效穩(wěn)定可靠;封裝形式:TO-252,散熱出色、占用空間小。
漏源電壓:600V
漏極電流:15A
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:37.5A
單脈沖雪崩能量:711MJ
功率耗散:111W
閾值電壓:2.5-4.5V
總柵極電荷:19.5nC
輸入電容:770PF
輸出電容:310PF
反向傳輸電容:20PF
開通延遲時間:7.5nS
關(guān)斷延遲時間:38nS
上升時間:6.5ns
下降時間:8.2ns
聯(lián)系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
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