KLM60R135BD場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流24A,采用多層外延工藝的超結M...KLM60R135BD場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流24A,采用多層外延工藝的超結MOS,有效降低導通電阻Rds(on)和Qg,提高效率;極低導通電阻RDS(ON)110mΩ,最大限...
電容的基本度量單位為法拉(F)。因法拉單位量值較大,實際電路中常用更小的衍...電容的基本度量單位為法拉(F)。因法拉單位量值較大,實際電路中常用更小的衍生單位進行計量:微法(μF),其與法拉的換算關系為1μF=10-6F;納法(nF),換算關...
單極型半導體器件是一種主要依靠一種載流子(多數載流子)參與導電的半導體器件...單極型半導體器件是一種主要依靠一種載流子(多數載流子)參與導電的半導體器件。這類器件通過電場效應控制電流,而非雙極型器件中電子與空穴同時參與導電機理。
KLM60R090B場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流38A,是采用多層外延工藝的超結...KLM60R090B場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流38A,是采用多層外延工藝的超結MOS,內阻低、抗沖擊能力強,高效低耗;低導通電阻RDS(ON)80mΩ(典型值),最大限...
當按下按鈕SB1,接觸器KM線圈獲電動作,電動機通電,電磁抱閘的線圈YB也通電,...當按下按鈕SB1,接觸器KM線圈獲電動作,電動機通電,電磁抱閘的線圈YB也通電,鐵芯吸引銜鐵而吸合,同時銜鐵克服彈簧拉力,迫使制動杠桿向上移動,從而使制動器的...