場效應(yīng)管引見篇 場效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱...場效應(yīng)管引見篇 場效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱場效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱，也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體...
來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團隊研發(fā)了一種用于場效應(yīng)晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
當(dāng)按下其中一個鍵（用力按下S1，輕輕按下S2）時，IC2d的輸出會改變狀態(tài)，從而使...當(dāng)按下其中一個鍵（用力按下S1，輕輕按下S2）時，IC2d的輸出會改變狀態(tài)，從而使時鐘發(fā)生器和IC1（通過IC2b）使能。然后，電容C1通過R1和R2充電，直到IC2a的輸入電...
KCX3650A場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流60A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流60A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移降低性能；堅固的高壓...
KIA65R300FS場效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流15A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS場效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流15A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.27Ω，低柵極電荷（典型值43nC），高堅固性、快速切換確保電路高效穩(wěn)定，100%雪崩測試、改進...
KIA65R190FS場效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流20A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS場效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流20A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.16Ω，低柵極電荷（典型值70nC），具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt功能增...
