KLF60R065B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流50A，極低導通電阻RDS(開啟) 50...KLF60R065B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流50A，極低導通電阻RDS(開啟) 50mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷75nC，減少損耗、提高效率；100%雪崩測試、...
電源穩壓器主要由輸入端、輸出端、比較器、控制器、功率元件（如晶體管、可控硅...電源穩壓器主要由輸入端、輸出端、比較器、控制器、功率元件（如晶體管、可控硅等）以及可能包括的伺服電機、調壓變壓器、補償變壓器等組成。 電源穩壓器的工作原...
直流升壓器是一種將直流電壓升高的電力電子設備，直流升壓器通過高頻振蕩產生低...直流升壓器是一種將直流電壓升高的電力電子設備，直流升壓器通過高頻振蕩產生低壓脈沖，經脈沖變壓器升壓后，再通過整流和濾波獲得所需的高壓直流電。其輸出電壓通...
KNP4890A場效應管漏源擊穿電壓900V，漏極電流9A，采用先進的平面加工技術制造，...KNP4890A場效應管漏源擊穿電壓900V，漏極電流9A，采用先進的平面加工技術制造，低導通電阻RDS（ON）=1.2Ω，低柵極電荷，能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關...
CMOS電路由PMOS（P溝道）管和NMOS（N溝道）管通過互補對稱方式連接，形成推挽式...CMOS電路由PMOS（P溝道）管和NMOS（N溝道）管通過互補對稱方式連接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作為上拉管，NMOS作為下拉管，兩者交替導通實現邏輯...
NMOS：以P型半導體為襯底，兩側為N型擴散區（源極S與漏極D），形成N型導電溝道...NMOS：以P型半導體為襯底，兩側為N型擴散區（源極S與漏極D），形成N型導電溝道。 PMOS：以N型半導體為襯底，兩側為P型擴散區，形成P型導電溝道。
