irf3205場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型...irf3205場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型平面技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 7mΩ，減少開關(guān)損耗，提高效率；具有卓越的性...
晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全...晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。 WLP基本工藝是在晶圓完...
NMOS的電流方向在標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通狀態(tài)下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設(shè)計(jì)（如...NMOS的電流方向在標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通狀態(tài)下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設(shè)計(jì)（如防反接電路）中可能反向流動(dòng)（S到D）。 MOS管的導(dǎo)通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾...
60r180場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低...60r180場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關(guān)損耗，提高效率；具備高...
電動(dòng)車控制器的原理是在電池電壓保持相對(duì)穩(wěn)定的前提下，通過(guò)斷續(xù)供電的方式，調(diào)...電動(dòng)車控制器的原理是在電池電壓保持相對(duì)穩(wěn)定的前提下，通過(guò)斷續(xù)供電的方式，調(diào)整電機(jī)供電電壓的平均值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)速度和電流的精準(zhǔn)控制。這種控制方式使得電...
開通時(shí)損耗：PON=IceoVcetofff 開通過(guò)程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crs...開通時(shí)損耗：PON=IceoVcetofff 開通過(guò)程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss 關(guān)斷時(shí)損耗：Poff=IcVcestonf 關(guān)斷過(guò)程損耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss ...
