MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設(shè)計及PCB布局時就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設(shè)計及PCB布局時就要格外注意應用情況和設(shè)計余量，確保MOSFET的Tj不會超過其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達到最大結(jié)點溫度時...總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達到最大結(jié)點溫度時所用的功率?？梢杂霉絋j=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來表達，節(jié)點溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SET，快速充電。如下圖，電流曲線的積分為V_CL，左右兩圖的陰影面積大小相同，可以看出...
共源共柵級由共源級實現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換，然后電流信號加到共柵級的源端。因此...共源共柵級由共源級實現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換，然后電流信號加到共柵級的源端。因此，構(gòu)成共源共柵級時共源管和共柵管類型可以不同。如圖3.0.2.1，M1是輸入器件：PMOS...
當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓...當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的場...
左圖中是直接耦合的共柵級，V b接固定電位，以電阻R D為負載。右圖為小信號等效...左圖中是直接耦合的共柵級，V b接固定電位，以電阻R D為負載。右圖為小信號等效電路（做圖水平拙劣），柵極接地，漏端輸出。該圖的輸出電阻（V i n = 0時兩壓控電...
