MOS場效晶體管-功率場效晶體管結構與工作原理-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2017-05-16　

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功率場效應晶體管（P-MOSFET）簡稱功率MOSFET，是使用大都載流子導電的半導體器材，且導通時只要一種極性的載流子參加導電，是單極型晶體管。與使用少數載流子導電的雙極型功率晶體管比較，功率 MOSFET 只靠單一載流子導電，不存在存儲效應，因而其關斷進程十分敏捷，其開關時間在 10 - 100ns 之間，作業頻率可達 100kHz以上，最高能夠到達500kHz。功卒MOSFET、開關速度快，作業頻率高，能夠使高頻率開關電源在設計時體積更小、質量更輕，習慣開關電源小型化、高效率化和高可靠性的開展請求。

功率 MOSFET 按導電溝道分為N 溝道和IP 溝道兩種，N溝迫的載梳子為空穴，P 溝道的載流子為電子。其電氣符號如圖 5-16 所示，圖中的MOS管三個極分別為柵極 G、漏極 D、源極 S。

常用的功率 MOSFET 主要是 N 溝道增強型。與通常小功率 MOSFET 的橫向導電構造不間，功率 MOSFET 大多選用筆直導電構造，然后提高了耐壓和耐電流才能，因而它又名VMOSFET。功率 MOSFET 是電壓控制型器材，在它的柵極和源極間加一個圖5-16 功率 MOSFET 的受控的電壓，在漏極可獲得較大的電流。功率 MOSFET 的柵極與源極在電氣上是靠硅氧化層彼此阻隔的，具有很高的輸入阻抗，因而其驅動電流很小，為 100nA 數量級，而輸山電流可達數安培至十幾安培。功率 MOSFET 所需的驅動功率很小，因此其對驅動電路的請求較低。功率 MOSFET 靜態時簡直不需輸入電流，但在開關過科中簾對輸入電容充、放電，因而它仍需定的驅動功率，且開關頻率越高，所需求的驅動功率越大。

由于功率 MOSFET 具有正的溫度系數，所以當有限個管子直接并聯時，能夠自動均衡電流，不會發生過熱點，熱穩定性好。

功率 MOSF'ET 具有驅動功率小、作業頻率高、安全作業以寬、元二次擊穿等特點。功率 MOSFET 的導通壓陣稍大，電流容量小，耐壓低（小于 1儀>OV ），通常只適用于中小功率開關管電源，在中低斥、小電流、高頻率范疇占用優勢。現在，功率 MOSFET 的容量水平為 50A/500 V ，作業頻率為 100kHz。

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