mosfet管腳判別方法及區(qū)分MOS管的極詳解-MOS管發(fā)熱原因分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-11-21
區(qū)分MOS管極的方法與步驟如下：
1、MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方 。
G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線(xiàn)的那邊。
2、他們是N溝道還是P溝道？
三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類(lèi)型，再判斷三個(gè)腳極性。先判斷是什么溝道，再判斷三個(gè)腳極性。
3、寄生二極管的方向如何判定？
接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。
4、簡(jiǎn)單的判斷方法，上面方法不太好記，一個(gè)簡(jiǎn)單的識(shí)別方法是：想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線(xiàn)是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。
柵極G的測(cè)定：用萬(wàn)用表R&TImes;100檔，測(cè)任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
漏極D、源極S及類(lèi)型判定：用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻，正向電阻約0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí)，紅表筆不動(dòng)，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：
a．若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動(dòng)，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時(shí)若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。
S極，不論是p溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是；
D極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線(xiàn)的那邊。
mosfet管腳判別好壞及性能詳解：
1、用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。
2、因?yàn)闁艠O等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái)，否則是壞管。
3、利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。
5、大都封莊為字面對(duì)自已時(shí)，左柵中漏右源。以上前三點(diǎn)必需掌握，后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對(duì)新拿到的不明MOS管，可以通過(guò)測(cè)定來(lái)判斷腳極，只有準(zhǔn)確判定腳的排列，才能正確使用。
1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)電路狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
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