KND8103A可替代L7805CV1 MOS管中文資料-原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-11-26
封裝：TO-220-3
電流：15A
電壓：30V
KND8103A可替代L7805CV1，本文將會有KNX8103A和L7805CV1兩個型號的產(chǎn)品附件，KIA半導體10幾年一直走品質追求，也一直力爭將質量做好最精致完美。KAI半導體雪崩沖擊低，且低內阻等優(yōu)勢。
電流：30A
電壓：30V
漏源極電壓：30V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：60A
單脈沖雪崩能：72MJ
雪崩電流：21A
運行結溫范圍：-55℃至+150℃
貯存溫度范圍：-55℃至+150℃
1、KIA-8103A是最高性能溝槽N-ch MOSFETs與極端高電池密度，為大部分同步降壓變換器提供了優(yōu)良的RDSON和門電荷KIA30N03B滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的需求，100%EAS保證全功能可靠性批準。
2、RDS (on)=15m?@VDS=30V
3、先進的高密度槽技術
4、超低門電荷
5、Cdv/dt效應下降
6、100%EAS保證
7、綠色設備可用
1、用于MB/NB/UMPC/VGA的高頻負載同步Buck變換器
2、網(wǎng)絡直流電力系統(tǒng)
3、負載開關
以下為KNX8103A產(chǎn)品PDF格式的詳細資料，查看詳情請點擊下圖。如有需要請聯(lián)系我們，KIA半導體將會竭誠為您服務！
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